Bøker av Abdelkader Bouazza

Un film sottile si riferisce a uno strato o a più strati di materiale con uno spessore che va dai nanometri (definiti monostrati) a diversi micrometri. Si parla di struttura multistrato quando più film sottili sono impilati insieme. I film sottili vengono depositati su un substrato per vari scopi, tra cui la protezione del substrato, l'alterazione dell'aspetto visivo a scopo decorativo, la modifica delle proprietà ottiche o elettriche del substrato e altro ancora.Il processo di deposizione di film sottili riveste un'importanza significativa in numerose applicazioni. Si tratta di applicare uno strato sottile di qualsiasi sostanza su una superficie, sia essa un substrato o strati già depositati. A seconda della natura fisica o chimica dominante del processo, le tecniche di deposizione possono essere ampiamente classificate in due gruppi. In questa presentazione verranno illustrate le tecniche più utilizzate in questo campo.

Ein Dünnfilm ist eine Schicht oder mehrere Schichten eines Materials mit einer Dicke von Nanometern (Monolayer) bis zu mehreren Mikrometern. Wenn mehrere dünne Schichten übereinander liegen, spricht man von einer Mehrschichtstruktur. Dünne Schichten werden zu verschiedenen Zwecken auf ein Substrat aufgebracht, z. B. zum Schutz des Substrats, zur Veränderung seines Aussehens zu dekorativen Zwecken, zur Veränderung der optischen oder elektrischen Eigenschaften des Substrats und vieles mehr.Das Verfahren der Dünnschichtabscheidung ist für zahlreiche Anwendungen von großer Bedeutung. Dabei wird eine dünne Schicht eines beliebigen Stoffes auf eine Oberfläche aufgebracht, sei es ein Substrat oder bereits abgeschiedene Schichten. Je nach der vorherrschenden physikalischen oder chemischen Natur des Prozesses können die Abscheidetechniken grob in zwei Gruppen eingeteilt werden. In diesem Vortrag werden die in diesem Bereich am häufigsten verwendeten Verfahren vorgestellt.

Uma película fina refere-se a uma camada ou a várias camadas de material com uma espessura que varia entre nanómetros (designada por monocamada) e vários micrómetros. É conhecida como uma estrutura multicamada quando várias películas finas são empilhadas em conjunto. As películas finas são depositadas num substrato para vários fins, incluindo a proteção do substrato, a alteração do seu aspeto visual para fins decorativos, a modificação das propriedades ópticas ou eléctricas do substrato, entre outros.O processo de deposição de películas finas tem uma importância significativa em numerosas aplicações. Envolve a aplicação de uma camada fina de qualquer substância numa superfície, seja ela um substrato ou camadas já depositadas. Dependendo da natureza física ou química dominante do processo, as técnicas de deposição podem ser classificadas em dois grupos. Esta apresentação abordará as técnicas mais utilizadas neste domínio.

Ce livre porte sur l¿étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).La pulvérisation est caractérisé par un rendement de pulvérisation « Y » qui dépend de plusieurs paramétrés, en particulier I'énergie des ions pulvérisés en incidence normale et avec une variation de l¿angle. Nos recherches sont envisagées dans une première étape pour calculer Y de trois métaux: le cuivre, l'argent et l'aluminium. Ces derniers entrent en collision avec des ions d¿argon, du xénon, et de Néon en utilisant un logiciel hautement développé appelé SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) en incidence normale, puis avec des angles varies.L'énergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du dépôt physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en étroite relation avec divers paramètres. Dans ce travail, nous présentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le procédé de pulvérisation de couches déposées de métaux (Cu, Al et Ag) et de semiconducteurs (Ge, Te et Si)

Ce livre porte sur l'étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).L¿énergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du dépôt physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en étroite relation avec divers paramètres. Dans ce travail, nous présentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le procède de pulvérisation de couches déposées de métaux (Cu, Al et Ag) et de semi-conducteurs (Ge, Te et Si) pour un diamètre de substrat de 50 cm et un diamètre cible de 5 cm. Le flux de pulvérisation naissante, le flux des atomes et leur énergie arrivant sur le substrat ont été simulés par un autre code Monte Carlo appelé SIMTRA (Simulation of Metal Transport). On obtient un ban accord entre les travaux antérieurs d'autres groupes et nos simulations pour les pressions de pulvérisation (0,3 à 1 Pa) et les distances de substrat-cible (10-50 cm).

Ce support de cours est issu du cours de Réseaux électriques industriels, que j¿enseigne à l¿université Ibn-Khaldoun de Tiaret, il à été réalisé à partir de nombreuses références bibliographique et destiné aux étudiants de la deuxième année master réseaux électriques comme il peut aussi être utile pour d¿autres spécialités techniques. La structure de ce cours a été pour l¿essentiel imposée afin de respecter le programme national.L¿objectif vis¿e `a travers ce cours est de rapprocher, aux étudiants, les connaissances nécessaires et les concepts liés à l¿étude des réseaux électriques industriels(architectures, schémas et plans. . . etc.), le calcul du bilan de puissance, de minimisation d¿énergie, de choix de canalisation électriques, de calcul de défauts et de protection. Compléter sa connaissance des concepts de base des réseaux électriques et les approfondir en les appliquant à des systèmes industriels.Je souhaiterai que ce modeste cours soit un ajout précieux aux ressources pédagogiques de notre université et constitua un support de cours de valeur pour nos étudiants.