Bøker av Awad Mogoda

The open-circuit potential of the uncoated, n-TCP coated and GO/CS/n-TCP composite coated titanium metal, TAV, and Co-Cr-W alloys in serum increases in the noble direction with increasing the immersion time, and this continued for about one hour before reaching a constant value revealing growth of the air-formed protective film on the surfaces of the materials. A two-time constants equivalent electrical circuit was suitable for the duplex in nature passive film on the examined materials. The EIS results indicated that the corrosion resistance increases with time and then decreases after 21 days due to the partial decomposition of the protective film on the electrode surfaces. The corrosion resistance of examined materials surfaces follows the order: uncoated coated< GO/CS/n-TCP composite coated. Coating of the tested materials surfaces with n-TCP or composite increases the process of the passive film growth with time till a definite thickness but for a long time, this protective layer dissolves to a certain limit.

Les caractéristiques de la couche de Si poreux formée par la gravure chimique améliorée par l'argent de p-Si dans une solution aqueuse HF/HNO3 sont influencées par la concentration d'ions Ag dans le bain de placage, les concentrations de l'agent de gravure (HF) et de l'agent oxydant (HNO3), et le temps de gravure du substrat de Si. Les résultats du MEB ont confirmé que le dépôt d'ions argent à partir d'une solution d'AgNO3 de 1,0 × 10-3 M sur le p-Si avant la gravure chimique dans HF/HNO3 a produit des PSL uniformes par rapport aux autres concentrations de nitrate d'argent. Les données d'impédance ont révélé que lorsque les concentrations de HF et d'acide nitrique augmentent, la dissolution du Si augmente également. La fabrication de PSL avec des trous ronds réguliers et de petit diamètre a été plus rapide avec la gravure chimique de p-Si modifiée par l'Ag qu'avec la gravure traditionnelle dans la même solution de gravure, qui a produit des pores d'une largeur considérable. L'absence de pic d'argent dans les mesures EDX pour le PSL résultant de la gravure chimique avec résistance à l'Ag suggère que l'Ag déposé s'est entièrement dissous dans la solution après la gravure. Les résultats du MEB et de l'AFM ont révélé que le diamètre des nanopores et la rugosité de la surface augmentaient avec la durée de la gravure.

As características da camada porosa de Si formada pelo condicionamento químico de p-Si com prata em solução aquosa de HF/HNO3 são influenciadas pela concentração de iões de Ag no banho de revestimento, pelas concentrações do condicionador (HF) e do agente oxidante (HNO3) e pelo tempo de condicionamento do substrato de Si. Os resultados do SEM confirmaram que a deposição de iões de prata a partir de uma solução de AgNO3 a 1,0 × 10-3 M em p-Si antes do ataque químico em HF/HNO3 resultou numa PSL uniforme, em comparação com as outras concentrações de nitrato de prata. Os dados de impedância revelaram que, quando as concentrações de HF e de ácido nítrico aumentam, o mesmo acontece com a dissolução do Si. O fabrico de PSL com orifícios redondos regulares e de pequeno diâmetro foi mais rápido com o ataque químico modificado com Ag do p-Si do que com o tradicional ataque com corante na mesma solução de ataque, que produziu poros de largura considerável. A ausência de um pico de prata nas medições de EDX para a PSL resultante do ataque químico com resistência à Ag sugeriu que a Ag depositada se tinha dissolvido totalmente na solução após o ataque. Os resultados de SEM e AFM revelaram que o diâmetro dos nanoporos e a rugosidade da superfície aumentaram com o aumento da duração do condicionamento.

Le caratteristiche dello strato di Si poroso formato dall'incisione chimica con argento del p-Si in soluzione acquosa di HF/HNO3 sono influenzate dalla concentrazione di ioni Ag nel bagno di placcatura, dalle concentrazioni del mordenzante (HF) e dell'agente ossidante (HNO3) e dal tempo di incisione del substrato di Si. I risultati del SEM hanno confermato che la deposizione di ioni d'argento da una soluzione di AgNO3 1,0 × 10-3 M su p-Si prima della mordenzatura chimica in HF/HNO3 ha prodotto una PSL uniforme rispetto alle altre concentrazioni di nitrato d'argento. I dati di impedenza hanno rivelato che quando le concentrazioni di HF e acido nitrico aumentano, aumenta anche la dissoluzione del Si. La produzione di PSL con fori rotondi regolari e di piccolo diametro è stata più rapida con l'incisione chimica di p-Si modificata con Ag rispetto all'incisione tradizionale con macchie nella stessa soluzione mordenzante, che ha prodotto pori di larghezza considerevole. L'assenza di un picco d'argento nelle misurazioni EDX per il PSL risultante dalla mordenzatura chimica con resistenza all'Ag ha suggerito che l'Ag depositato si era completamente dissolto nella soluzione dopo la mordenzatura. I risultati di SEM e AFM hanno rivelato che il diametro dei nanopori e la rugosità della superficie aumentavano con l'aumentare della durata della mordenzatura.

Harakteristiki poristogo sloq Si, sformirowannogo w rezul'tate usilennogo serebrom himicheskogo trawleniq p-Si w wodnom rastwore HF/HNO3, zawisqt ot koncentracii ionow Ag w wanne osazhdeniq, koncentracii trawitelq (HF) i okislitelq (HNO3), a takzhe wremeni trawleniq Si-podlozhki. Rezul'taty RJeM podtwerdili, chto osazhdenie ionow serebra iz 1,0 × 10-3 M rastwora AgNO3 na p-Si pered himicheskim trawleniem w HF/HNO3 priwelo k obrazowaniü rawnomernogo PSL po srawneniü s drugimi koncentraciqmi nitrata serebra. Dannye impedansa pokazali, chto pri uwelichenii koncentracii HF i azotnoj kisloty proishodit rastworenie Si. Izgotowlenie PSL s kruglymi otwerstiqmi prawil'noj formy i malogo diametra proishodilo bystree pri Ag-modificirowannom himicheskom trawlenii p-Si, chem pri tradicionnom trawlenii pqten w tom zhe trawil'nom rastwore, pri kotorom poluchalis' pory znachitel'noj shiriny. Otsutstwie pika serebra w EDX-izmereniqh dlq PSL, poluchennyh w rezul'tate Ag-modificirowannogo himicheskogo trawleniq, swidetel'stwuet o tom, chto osazhdennyj Ag polnost'ü rastworilsq w rastwore posle trawleniq. Rezul'taty SJeM i ASM pokazali, chto diametr nanopor i sherohowatost' powerhnosti uwelichiwalis' po mere uwelicheniq prodolzhitel'nosti trawleniq.

Die Eigenschaften der porösen Si-Schicht, die durch silberverstärktes chemisches Ätzen von p-Si in wässriger HF/HNO3-Lösung gebildet wird, werden durch die Konzentration der Ag-Ionen im Beschichtungsbad, die Konzentrationen sowohl des Ätzmittels (HF) als auch des Oxidationsmittels (HNO3) und die Ätzzeit des Si-Substrats beeinflusst. Die SEM-Ergebnisse bestätigten, dass die Abscheidung von Silberionen aus einer 1,0 × 10-3 M AgNO3-Lösung auf p-Si vor dem chemischen Ätzen in HF/HNO3 im Vergleich zu den anderen Silbernitrat-Konzentrationen zu gleichmäßigem PSL führte. Die Impedanzdaten zeigten, dass mit steigender Konzentration von HF und Salpetersäure auch die Si-Auflösung zunimmt. Die Herstellung von PSL mit gleichmäßigen runden Löchern mit kleinem Durchmesser gelang mit dem Ag-modifizierten chemischen Ätzen von p-Si schneller als mit dem herkömmlichen Fleckenätzen in derselben Ätzlösung, bei dem Poren von beträchtlicher Breite entstanden. Das Fehlen eines Silberpeaks in den EDX-Messungen für das resultierende PSL aus dem Ag-unterstützten chemischen Ätzen deutet darauf hin, dass sich das abgeschiedene Ag nach dem Ätzen vollständig in der Lösung aufgelöst hat. Die Ergebnisse der REM- und AFM-Untersuchungen zeigten, dass der Durchmesser der Nanoporen und die Oberflächenrauhigkeit mit zunehmender Ätzdauer zunahmen.

The characteristics of the porous Si layer formed by silver enhanced chemical etching of p-Si in aqueous HF/HNO3 solution are influenced by the concentration of Ag ions in the plating bath, the concentrations of both the etchant (HF) and the oxidizing agent (HNO3), and the etching time of the Si substrate. The SEM outcomes confirmed that deposition of silver ions from 1.0 × 10¿3 M AgNO3 solution on p-Si before the chemical etching in HF/HNO3 resulted in uniformly PSL in a comparison with the other silver nitrate concentrations. The impedance data revealed that when the concentrations of HF and nitric acid rise, so does Si dissolution. The manufacture of PSL with regular and small diameter round holes was faster with Ag-modified chemical etching of p-Si than with traditional stain etching in the same etchant solution, which produced pores of considerable width. The lack of a silver peak in the EDX measurements for the resultant PSL from Ag-assistance chemical etching suggested that the deposited Ag had fully dissolved in the solution after etching. The results of SEM and AFM revealed that the nanopore diameter and surface roughness increased as the etching duration raised.