Gjør som tusenvis av andre bokelskere
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
Brings together materials science, manufacturing processes, and research and developments of SiGe and strained-Si. This book contains the information on strain engineering in silicon CMOS and strained-Si-based integrated circuit technology and strain-engineered MOSFETs. It presents various aspects of silicon heterostructure materials and devices.
Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics.
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.