Gjør som tusenvis av andre bokelskere
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs based SG and DG-HEMT is also discussed.
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.