Bøker av Said Benramache

Dans le présent travail, nous avons utilisé les propriétés optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dopé comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont été déposés à différentes molarités de précurseur par des techniques de pulvérisation ultrasonique et de pyrolyse par pulvérisation, ainsi qu'à différentes températures de substrat, les films minces de ZnO dopés avec différents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopés. Dans ce travail, l'attention a été portée sur la nouvelle approche actuelle pour calculer l'énergie de la bande interdite et les énergies d'Urbach. Le modèle proposé pour calculer la bande interdite ou les énergies d'Urbach des films minces de ZnO non dopés et dopés a été étudié. La relation entre les données expérimentales et le calcul théorique avec les molarités des précurseurs suggère que la bande interdite ou les énergies d'Urbach sont principalement estimées par la bande interdite ou les énergies d'Urbach et la concentration de la solution de ZnO.

In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-Dünnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die dünnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorläufermolaritäten durch Ultraschallsprüh- und Sprühpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk auf den derzeit neuen Ansatz zur Berechnung der optischen Lückenenergie und der Urbach-Energien gerichtet. Das vorgeschlagene Modell zur Berechnung der Bandlücke oder der Urbach-Energien von undotierten und dotierten ZnO-Dünnschichten wurde untersucht. Die Beziehung zwischen den experimentellen Daten und der theoretischen Berechnung mit Vorläufermolaritäten deutet darauf hin, dass die Bandlücke oder die Urbach-Energien hauptsächlich durch die Bandlücke oder die Urbach-Energien und die Konzentration der ZnO-Lösung geschätzt werden.

No presente trabalho, utilizámos as propriedades ópticas das películas finas de óxido de zinco puro e dopado como o semicondutor do tipo "n". As películas finas foram depositadas em diferentes molaridades precursoras por spray ultra-sónico e técnicas de pirólise de spray também a diferentes temperaturas do substrato, o ZnO dopado com vários dopantes tais como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopado de películas finas de ZnO. Neste trabalho, a atenção centrou-se na nova abordagem actual para calcular a energia do fosso óptico e as energias Urbach. Foi estudado o modelo proposto para calcular o intervalo de banda ou as energias Urbach de filmes finos de ZnO não dopados e dopados. A relação entre os dados experimentais e o cálculo teórico com as molaridades precursoras sugere que o intervalo de banda ou as energias Urbach são predominantemente estimadas pelo intervalo de banda ou pelas energias Urbach e a concentração da solução ZnO.

Nel presente lavoro, abbiamo utilizzato le proprietà ottiche di film sottili di ossido di zinco puro e drogato come semiconduttore di tipo n. I film sottili sono stati depositati a diverse molarità di precursori mediante tecniche di spray ultrasonico e pirolisi spray e a diverse temperature del substrato, i film sottili di ZnO drogati con vari droganti come Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. In questo lavoro l'attenzione è stata focalizzata sull'approccio attualmente nuovo per calcolare l'energia di gap ottico e le energie di Urbach. È stato studiato il modello proposto per calcolare il band gap o le energie di Urbach di film sottili di ZnO non drogati e drogati. La relazione tra i dati sperimentali e il calcolo teorico con le molarità dei precursori suggerisce che il band gap o le energie di Urbach sono stimati prevalentemente dal band gap o dalle energie di Urbach e dalla concentrazione della soluzione di ZnO.