Utvidet returrett til 31. januar 2025

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

Om Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

Vis mer
  • Språk:
  • Engelsk
  • ISBN:
  • 9789811355851
  • Bindende:
  • Paperback
  • Sider:
  • 137
  • Utgitt:
  • 30. januar 2019
  • Utgave:
  • 12018
  • Dimensjoner:
  • 155x235x0 mm.
  • Vekt:
  • 454 g.
  • BLACK NOVEMBER
  Gratis frakt
Leveringstid: 2-4 uker
Forventet levering: 19. desember 2024

Beskrivelse av Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

Brukervurderinger av Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect



Finn lignende bøker
Boken Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect finnes i følgende kategorier:

Gjør som tusenvis av andre bokelskere

Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.