Gjør som tusenvis av andre bokelskere
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions
del av Springer Theses-serien
- Bindende:
- Hardback
- Sider:
- 147
- Utgitt:
- 15. april 2019
- Utgave:
- 2019
- Dimensjoner:
- 155x235x0 mm.
- Vekt:
- 454 g.
Gratis frakt
Leveringstid:
2-4 uker
Forventet levering: 15. mai 2025
Beskrivelse av Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions
This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurements using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents two significant findings for BP and PbTe.
Brukervurderinger av Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions
Vurder denne boken
Du må være innlogget for å vurdere denne boken.Andre har også kjøpt..
Finn lignende bøker
Boken Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions finnes i følgende kategorier:
Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
© 2025 Tales.no
