Utvidet returrett til 31. januar 2025

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Om Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs).

Vis mer
  • Språk:
  • Engelsk
  • ISBN:
  • 9789811351815
  • Bindende:
  • Paperback
  • Sider:
  • 168
  • Utgitt:
  • 4. januar 2019
  • Utgave:
  • 12018
  • Vekt:
  • 302 g.
  • BLACK NOVEMBER
  Gratis frakt
Leveringstid: 2-4 uker
Forventet levering: 27. desember 2024
Utvidet returrett til 31. januar 2025

Beskrivelse av Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs).

Brukervurderinger av Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT



Finn lignende bøker
Boken Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT finnes i følgende kategorier:

Gjør som tusenvis av andre bokelskere

Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.